Модуль памяти OCZ OCZ2SOE8001G

Модуль памяти OCZ OCZ2SOE8001G

Описание модуля памяти OCZ OCZ2SOE8001G

Тип модуля
DDR2
Емкость
1024 МБ
Свойства
DIMM 240-контактный
CAS Latency (CL): 5
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 12

Рабочая частота
800 МГц
Скорость передачи
6400 Мб/с
Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ2SOE8001G

Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 1 модуль 1 Гб
Тип памяти: DDR2
Тактовая частота: 800 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 6400 Мб/с
CAS Latency (CL): 5
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 12
Напряжение питания: 2.1 В
Радиатор: есть

Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.